i c, nom 150 a i c 200 a min. typ. max. - 1,7 2,1 v - 2 t.b.d. v v ce = 1200v, v ge = 0v, t vj = 25c i ces 5 ma collector emitter cut off current gateladung v ge = -15v...+15v q g - 1,4 - c - - v ges revision: 3 v ge(th) f= 1m hz, t vj = 25c, v ce = 25v, v ge = 0v c ies 10,6 - p tot 700 kollektor emitter reststrom prepared by: mark mnzer gate t hreshold voltage eingangskapazit?t isolations prfspannung insulation test voltage rms, f= 50hz, t= 1min v isol technische infor mation / technical in formation fs150r12k e3 igbt-module igbt-modules v cesat charakteristische werte / characteristic values approved: martin hierholzer input capacitance gate charge periodischer spitzenstrom gesamt verlustleistung total power dissipation gate emitter spitzenspannung vorl?ufige daten preliminary data transistor wechselrichter / transistor inverter date of pu blication: 2001-08-16 kollektor emitter s?ttigungsspannung v ge = 15v, t vj = 25c, i c = i c,nom collector emitter satration voltage 1200 v kv 2,5 a nf - t c = 25c dc collector current v ces collector emitter voltage elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul ?ssige werte / maximum rated values kollektor emitter sperrspannung t c = 80c kollektor dauergleichstrom repetitive peak forward current v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c v ge = 15v, t vj = 125c, i c = i c,nom gate schwellenspannung v ce = v ge , t vj = 25c, i c = 6ma i2t value w v gate emitter peak voltage 300 dauergleichstrom i f 150 t c = 25c repetitive peak collector current t p = 1ms, t c = 80c periodischer kollektor spitzenstrom i crm a dc forward current +/- 20 4,56 ka2s t p = 1ms i frm 300 a grenzlastintegral 5 5,8 6,5 v 0,4 - nf reverse transfer capacitance rckwirkungskapazit?t f= 1mhz, t vj = 25c, v ce = 25v, v ge = 0v c res - - 400 na gate emitter leakage current gate emitter reststrom v ce = 0v, v ge = 20v, t vj = 25c i ges - i2t 1 (8) datenblatt_FS150R12KE3_v3.xls 2001-0 8-16
te chnische inform ation / technical infor mation fs150r1 2ke3 igbt-module igbt-modules vorl?ufige daten preliminary data min. typ. max. - 260 - ns - 285 - ns - 30 - ns - 45 - ns - 420 - ns - 520 - ns - 65 - ns - 90 - ns - 1,65 2,1 v - 1,65 t.b.d. v - 190 - a - 210 - a - 17 - q - 30 - q - 7 - mj - 13 - mj v r = 600v, v ge = -10v, t vj = 25c v r = 600v, v ge = -10v, t vj = 125c transistor wechselrichter / transistor inverter t d,on anstiegszeit (induktive l ast) rise time (inductive load) i c = i c, nom , v cc = 600v t r v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 25c v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 125c v r = 600v, v ge = -10v, t vj = 25c rckstromspitze peak reverse recovery current i rm i f = i c, nom , v ge = 0v, t vj = 25c i f = i c, nom , v ge = 0v, t vj = 125c - - i f =i c,nom , -di f /dt= 4000a/s durc hlassspannung einschaltverz?gerungszeit (induktive last) turn on delay time (inductive load) c harakteristische werte / characteristic values charakteristische werte / characteristic values t f v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 25c v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 125c t d,off v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 25c v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 125c i c = i c, nom , v cc = 600v v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 25c v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 125c m w - 16 - mj - mj - 17 - ausschaltverlustenergie pro puls turn off energy loss per pulse e off i c = i c, nom , v cc = 600v, l s = 70nh v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 125 c v cc = 900v, v cemax = v ces - l s ce di/dt 1,8 leitungswiderstand, anschluss-chip lead resistance, terminal-chip r cc/ee stray inductance module l s ce diode wechselrichter / diode inverter v r = 600v, v ge = -10v, t vj = 125c v f forward voltage modulindu ktivit?t t c = 25c 21 - nh turn on energy loss per pulse abschaltverz?gerungszeit (induktive last) turn off delay time (inductive load) i c = i c, nom , v cc = 600v kurzschlussverhalten t p 10sec, v ge 15v, t vj 125c i sc - 600 - a i c = i c, nom , v cc = 600v v r = 600v, v ge = -10v, t vj = 25c sperrverz?gerungsladung recoverred charge e on i c = i c, nom , v cc = 600v, l s = 70nh v ge = 15v, r g = 2,4 w , t vj = 125c fallzeit (induktive last) fall time (inductive load) sc data einschaltverlustenergie pro puls q r ausschaltenergie pro puls reverse recovery energy e rec v r = 600v, v ge = -10v, t vj = 125c i f =i c,nom , -di f /dt= 4000a/s i f =i c,nom , -di f /dt= 4000a/s 2 (8) datenblatt_fs150 r12ke3_v3.xls 2001-08-16
tec hnische inform ation / technical infor mation fs15 0r12ke3 igbt-module igbt-modules vorl?ufige daten preliminary data min. typ. max. - - 0,18 k/w - - 0,34 k/w ther mische eigenschaften / thermal properties -5 - - 5 5 - - deviation of r 100 verlustleistung t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r r thck thermal resistance, case to heatsin k h?chstzul?ssige sperrschichttemp. bergangs w?rmewiderstand t vjmax lagertemperatur storage temperature pro modul / per module l paste = 1w/m*k / l grease = 1w/m*k operation temperature betriebstemperatur t stg - 40 - 125 c - al 2 o 3 - % t c = 25c k w abweichung von r 100 r 25 - 0,009 - charakteristische werte / characteristic values nt c-widerstand / ntc-thermistor nennwiderstand t c = 25c rated resistance b-value - 33 75 - k c maximum junction temperature power dissipation b-wert r 2 = r 1 exp[b(1/t 2 - 1/t 1 )] b 25/50 p 25 k/w 20 mw c 150 geh?use, siehe anlage t vjop -40 - 125 - - internal insulation 225 comperative tracking index anzugsdrehmoment, mech. befestigung schraube m5 m mounting torque screw m5 cti innerer w?rmewiderstand; dc thermal resistance, juncton to case; dc transistor wechelr. / transistor inverter diode wechselrichter / diode inverter r thjc weight g gewicht 3 300 g 6 nm mechanische eigenschaften / mechanical properties mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid with the belonging technical notes. innere isolation case, see appendix 3 (8) datenblatt_f s150r12ke3_v3.xls 2001-08-16
tec hnische inform ation / technical infor mation f s150r12k e3 igbt-module igbt-modules vorl?ufige daten preliminary data ausgangskennlinie (t ypisch) i c = f(v ce ) output characteristic (typical) t vj = 125 c output characteristic (typical) v ge = 15v ausgangs kennlinienfeld (typisch) i c = f(v ce ) 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 v ce [v ] i c [a] tvj = 25c tvj = 125c 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 v ce [v] i c [a] vge=19v vge=17v vge=15v vge=13v vge=11v vge=9v 4 (8) datenblatt_FS150R12KE3_v3.xls 2001-08-16
tec hnische inform ation / technical infor mation fs150r1 2ke3 igbt-module igbt-modules vorl?ufige daten preliminary data d urchlasskennlinie der inversdiode (typisch) i f = f(v f ) forward caracteristic of inverse diode (typical) bertragungscharakteristik (typisch) trans fer characteristic (typical) i c = f(v ge ) v ce = 20v 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 5 6 7 8 9 10 11 12 13 v ge [v] i c [a] tvj = 25c tvj = 125c 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 v f [v] i f [a] tvj = 25c tvj = 125c 5 (8) datenblatt_FS150R12KE3_v3.xls 2001-08-16
tec hnische inform ation / technical infor mation fs15 0r12ke3 igbt-module igbt-modules vorl?ufige daten preliminary data schaltverluste (typisch) switching l osses (typical) e on = f (r g ) , e off = f (r g ) , e rec = f (r g ) v ge =15v, i c =150a , v ce =600v, t j =125c schaltve rluste (typisch) switching losses (typical) e on = f (i c ) , e off = f (i c ) , e rec = f (i c ) v ge =15v, r gon =r goff =2,4 w , v ce =600v, t j =125c 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 i c [a] e [mj] eon eoff erec 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 2 4 6 8 10 12 14 16 r g [ w ] e [mj] eon eoff erec 6 (8) datenblatt_FS150R12KE3_v3.xls 2001-08-16
tec hnische inform ation / technical infor mation f s150r12k e3 igbt-module igbt-modules vorl?ufige daten preliminary data 75,59 90,61 10,39 2 transienter w?rmewi derstand transient thermal impedance 3,41 1,187e-05 4 z thjc = f (t) 3 2,364e-03 6,43 1,187e-05 142,83 6,499e-02 2,364e-03 2,601e-02 171,43 2,601e-02 6,499e-02 sicherer arbeitsbereich (rbsoa) reverse bias sa fe operation area (rbsoa) v ge =15v, t j =125c i r i [k/ kw] : igbt t i [s] : igbt r i [k/kw] : diode t i [s] : diode 1 19,31 0,01 0,1 1 0,001 0,01 0,1 1 t [s] z thjc [k/w] zt h : igbt zth : diode ic,chip 0 50 100 150 200 250 300 350 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 v ce [v] i c [a] ic,chip 7 (8) datenblatt_FS150R12KE3_v3.xls 2001-08-16
tec hnische inform ation / technical infor mation fs150r1 2ke3 igbt-module igbt-modules vorl?ufige daten preliminary data geh?usema?e / schaltbild package outline / circuit diagram 8 (8) datenblatt_FS150R12KE3_v3.xls 2001-08-16
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